Bauelemente der Halbleiter-Elektronik by Rudolf Müller

German 5

By Rudolf Müller

Aus den Besprechungen: "... In diesem Sinne dient das vorliegende Buch einemdoppelten Zweck: Einmal soll es die Grundlagenkenntnisse vertiefen helfen, z.B. dadurch, da~ die Transistoren als typisches Beispiel eines Halbleiterbauelements beschrieben werden; nicht die technischen info stehen im Vordergrund, sondern die Begr}ndung der jeweiligen Beschreibung, so da~ der Leser in der F{higkeit ge}bt wird, sp{ter neue Bauelemente leichter zu verstehen. Zum anderen soll durch die auf das Wesentliche beschr{nkte Beschreibung der technisch interessanten Bauelemente der ]berblick }ber diese Vielfalt erleichtert werden. Das Lehrbuch richtet sich vorwiegend an Studenten und Absolventen von Ingenieur- und Technikerschulen. " #Elektrotechnik# "... Das Buch beschreibt alle technisch interessanten Halbleiter-Bauelemente. Der Schwerpunkt liegt beim Prinzip ihres Aufbaus, der Wirkungsweise und den wesentlichen elektrischen Eigenschaften. In sechs Abschnitten sind alle Dioden - bis hin zu Laser-, Gunn- und LSA-Dioden - bipolare und Feldeffekt-Transistoren, Thyristoren, integrierte Schaltungen und spezielle Halbleiter-Bauelemente dargestellt. Das Buch ist sowohl Studenten wie auch Ingenieuren in der Praxis eine hilfreiche Informationsquelle." #Elektronik Industrie# Inhalts}bersicht:

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0 10 rnA 100 1- BUd 1120 Dotierungsverlauf und elektrische Feldstiirke in einer pin-Diode (Sperrpolung). BUd 1121. Typischer Kleinsignalwiderstand einer in FluBrichtung gepolten pin-Diode als Funktion des Diodenstromes ([1], S. 9). 33 tdigem ausgediurnt, so daB die RL-Zone etwa gleich der Weite der i-Zone ist. Die spannungsabhangige Ausdehnung der RL-Zone in die p-Zone ist im Vergleich dazu vemachUissigbar. Die (Sperrschicht-)Kapazitat dieser Diode ist daher im Sperrbereich nahezu spannungsunabhangig.

B. 98). GeGolddrahtdioden fmden daher besonders als Schaltdioden Verwendung. In zunehmendem MaBe setzen sich wegen der Vielseitigkeit ihrer Anwendungen Fliichendioden (vor allem aus Si) durch. Bild 1/19b zeigt eine "legierte" Si-Fliichendiode im Schnitt. Ein Metallkiigelchen (z. B. AI) wird auf ein Halbleiterpliittchen (z. B. n-Si) aufgebracht. Bei einer Erhitzung entsteht wie bei der Golddrahtdiode eine geschmolzene Legierung aus Metall und Halbleiter, aus der bei Abkiihlung der Halbleiter rekristallisiert.

A) Gepulster GaAs-Laser [44]; (b) Dauerstrich-AlGaAs-Heterodioden-Streifenlaser [174] bei 300"K. zierten Ubergange. Der Schwellenwert hangt stark von der Temperatur ab (Bild 1I55a), (1/18), [164]. Die ersten Laserdioden mit einfachen p+ n+ - Ubergangen in GaAs hatten bei Zimmertemperatur Schwellenstromdichten zwischen 30000 und 100000 AIcm2• Fiirtypische PHichen der pn- Ubergange von etwa 100 x 50 fJlll ergab dies Schwellenstrome von einigen Ampere, so daB wegen der hohen Verlustleistung (der Wirkungsgrad betragt nur einige Prozent) bei Zimmertemperatur zunachst nur Pulsbetrieb moglich war.

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